型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1.7kV 1.8kA 9Pin Case E-1088471-9￥12217.480010-24￥12106.412025-49￥12050.878050-99￥11995.3440100-149￥11939.8100150-249￥11884.2760250-499￥11828.7420≥500￥11773.2080 -
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品类: IGBT晶体管描述: Discrete Semiconductor Modules 300A 1200V384320-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220-324545-49￥17.655350-199￥16.9008200-499￥16.4783500-999￥16.37271000-2499￥16.26702500-4999￥16.14635000-7499￥16.0709≥7500￥15.9954 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS X2 系列 与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管，适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。 极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备84341-9￥56.022410-99￥52.8080100-249￥50.4202250-499￥50.0528500-999￥49.68541000-2499￥49.27222500-4999￥48.9048≥5000￥48.6752 -
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品类: MOS管描述: 表面贴装型 N 通道 1500V 3A（Tc） 250W（Tc） TO-26350181-9￥59.282510-99￥56.7050100-249￥56.2411250-499￥55.8802500-999￥55.31321000-2499￥55.05542500-4999￥54.6946≥5000￥54.3853 -
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品类: MOS管描述: N沟道 200V 96A48535-49￥12.811550-199￥12.2640200-499￥11.9574500-999￥11.88081000-2499￥11.80412500-4999￥11.71655000-7499￥11.6618≥7500￥11.6070 -
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品类: MOS管描述: N-CH 500V 20A45985-49￥22.592750-199￥21.6272200-499￥21.0865500-999￥20.95141000-2499￥20.81622500-4999￥20.66175000-7499￥20.5652≥7500￥20.4686 -
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品类: MOS管描述: PLUS N-CH 850V 90A31041-9￥229.459510-49￥223.473650-99￥218.8844100-199￥217.2882200-499￥216.0910500-999￥214.49481000-1999￥213.4971≥2000￥212.4995 -
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品类: IGBT晶体管描述: IXGN 系列 600 Vce 52 A 27 ns t(on) 高速 IGBT - SOT-227B19361-9￥188.588510-49￥183.668850-99￥179.8970100-199￥178.5851200-499￥177.6012500-999￥176.28931000-1999￥175.4693≥2000￥174.6494 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列 IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备22621-9￥106.248510-99￥101.6290100-249￥100.7975250-499￥100.1508500-999￥99.13451000-2499￥98.67252500-4999￥98.0258≥5000￥97.4715 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 4kV 0.3A 3Pin(2+Tab) SMD729820-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3Pin(3+Tab) TO-3P79675-24￥1.701025-49￥1.575050-99￥1.4868100-499￥1.4490500-2499￥1.42382500-4999￥1.39235000-9999￥1.3797≥10000￥1.3608 -
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品类: MOS管描述: Mosfet n-Ch 1kV 750mA To26386975-49￥21.188750-199￥20.2832200-499￥19.7761500-999￥19.64941000-2499￥19.52262500-4999￥19.37775000-7499￥19.2872≥7500￥19.1966 -
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品类: MOS管描述: MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS91161-9￥245.617010-49￥239.209650-99￥234.2973100-199￥232.5886200-499￥231.3071500-999￥229.59851000-1999￥228.5306≥2000￥227.4627 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 3.3kV 1.2kA 9Pin28181-9￥23113.530010-24￥22903.407025-49￥22798.345550-99￥22693.2840100-149￥22588.2225150-249￥22483.1610250-499￥22378.0995≥500￥22273.0380 -
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品类: MOS管描述: IXTA Series Single N-Channel 1200V 4.5Ω 200W Power Mosfet - TO-26340585-49￥31.508150-199￥30.1616200-499￥29.4076500-999￥29.21911000-2499￥29.03052500-4999￥28.81515000-7499￥28.6805≥7500￥28.5458 -
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品类: MOS管描述: Mosfet n-Ch 600V 60A To24760951-9￥113.850010-99￥108.9000100-249￥108.0090250-499￥107.3160500-999￥106.22701000-2499￥105.73202500-4999￥105.0390≥5000￥104.4450 -
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品类: MOS管描述:28431-9￥64.745010-99￥61.9300100-249￥61.4233250-499￥61.0292500-999￥60.40991000-2499￥60.12842500-4999￥59.7343≥5000￥59.3965 -
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品类: MOS管描述: ISOPLUS N-CH 55V 200A661620-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin (3+Tab) TO-247389420-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: ISOPLUS N-CH 500V 40A38021-9￥152.363510-49￥148.388850-99￥145.3415100-199￥144.2816200-499￥143.4867500-999￥142.42681000-1999￥141.7643≥2000￥141.1019 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module 1200V 40A48151-9￥387.734010-49￥377.619250-99￥369.8645100-199￥367.1672200-499￥365.1443500-999￥362.44701000-1999￥360.7612≥2000￥359.0754 -
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品类: MOS管描述: SMPD HIPERFETS & MOSFETS75271-9￥345.414010-49￥336.403250-99￥329.4949100-199￥327.0920200-499￥325.2899500-999￥322.88701000-1999￥321.3852≥2000￥319.8834 -
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品类: IGBT晶体管描述: Module Igbt Cbi E127101-9￥473.052510-49￥460.712050-99￥451.2510100-199￥447.9602200-499￥445.4921500-999￥442.20131000-1999￥440.1445≥2000￥438.0878 -
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品类: IGBT晶体管描述: 分立半导体模块 300 Amps 1700V99561-9￥4317.269010-24￥4278.021125-49￥4258.397250-99￥4238.7732100-149￥4219.1493150-249￥4199.5253250-499￥4179.9014≥500￥4160.2774 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 62A 280000mW 17Pin81911-9￥769.066810-49￥742.082050-99￥738.7089100-149￥735.3358150-249￥729.9388250-499￥725.2165500-999￥720.4942≥1000￥715.0972 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。23511-9￥95.990510-99￥91.8170100-249￥91.0658250-499￥90.4815500-999￥89.56331000-2499￥89.14602500-4999￥88.5617≥5000￥88.0609
